仪器简介：

全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；

电子束蒸发系统：

1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System

2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System

3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System

4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System

5.离子电镀系统Ion Plating System

6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System

7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System

技术参数：

1.电子束源&电源

单个或者可自由切换换电子束源：

--蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4， 6)

--坩埚容量：7 ~ 40 cc (**可达200 cc)

--标准：25 cc (4 or 6 Pocket)， 40 cc (4 Pocket)

--**：200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积

--偏转角度：180o， 270o

--输出功率：6， 10， 15， 20 kW

--支持两个或者三个电子束源在一个系统上

--可连续或者同时沉积两种或三种材料

--高速率沉积

2.薄膜沉积控制：

IC-5 ( or XTC， XTM) 和计算机控制

--沉积过程参数可控

--石英晶体振荡传感器

--光学检测系统用于光学多层薄膜沉积：测量波长范围350-2000 nm，分辨率1 nm

--薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制

--薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制

--支持大面积沉积

--支持在线电子束蒸发沉积

--基底尺寸：20~100英寸

--薄膜均匀性 <±1.0 to 5.0 %

3.真空腔体：

--圆柱形腔体

--直径：φ500 ~ 1，500 mm

--高度：800 ~ 1500 mm

--方形腔体

--根据客户的需求定制

4.真空泵和测量装置：

--低真空：干泵和convectron真空规

--高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规

--超高真空：双级涡轮分子泵，离子泵和离子规

5.控制系统PLC和 触摸屏计算机：

--硬件: PLC， 触摸屏计算机

--包括模拟和数字输入/输出卡

--显示器: LCD

--自动和手动程序控制

--程序控制：加载，编辑和保存

--程序激活控制：

--泵抽真空，蒸发沉积，加热， 旋转等

--膜厚度检测和控制多层薄膜沉积

--系统状态，数据加载等

--问题解答和联动状态

扩展功能：

1、质量流量控制器：反应和等离子体辅助惰性气体控制

2、离子源和控制器：等离子体辅助沉积

3、射频电源：基底预先处理

4、温度控制器：基底加热

5、热蒸发器：1 or 2 boat

6、蒸镀源cell：1 or 2 for doping

7、冷却器：系统冷却