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Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中*短的，从150纳米到550纳米。
磷化镓光电二极管－紫外波长
Zoom 超短波长范围（150至550纳米） 快速上升时间 安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围 (nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降) 時間a噪音等效功率 (W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71 150 - 550 4.8 mm2 (2.5 mm x 2.5 mm) - 1 ns (140 ns) @ 5 V 1.0 x 10-14 @ 440 nm 10 nA (**) @ 5 V - a) 典型值 RL＝50欧姆 b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。 |
| 硅光电二极管－可见光波长 |
| ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中**的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有**有效面积。型号 #波长范围 (nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降） 时间aNEP (W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 1100 0.25 mm TO-46 FC/PC Connector 47 ps (246 ps) @ -5 V 9.3 x 10-15 35 pAd @ 5 V 0.94 pF @ 5 VFDS010 200 - 1100 0.81 mm2 (Ø1 mm) TO-5/PIN @ 20 V 5.0 x 10-14 @ 900 nm 2.5 nA 10 pF @ 0 VFDS100 350 - 1100 13 mm2 (3.6 mm x 3.6 mm) TO-5/PIN 10 ns (10 ns) @ 20 V 1.2 x 10-14 @ 900 nm 20 nA 20 pF @ 1VFDS1010 400 - 1100 100 mm2 (9.7 mm x 9.7 mm) Ceramic Wafer 45 ns (45 ns) @ 5 V 5.5 x 10-13 @ 900 nm 0.6 µA @ 5V 375 pF @ 5V a) 典型値. RL = 50 欧姆 b) 详细引脚配置请参看专门规格表 d) **500 pA |
| 铟镓砷光电二极管—近红外到红外波长 |
| ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积**的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP (W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c 800 - 1800 0.008 mm2 (Ø0.1 mm) TO-46 w/ FC/PC Connector 100 ps (100 ps) @ 5 V 1.5 x 10-15 @ 1550 nm 0.5 nA @ 5 V 1.0 pF @ 5 VFGA10 700 - 1800 0.81 mm2 (Ø1 mm) TO-5/PIN 10 ns (10 ns) @ 5 V 2.5 x 10-14 @ 900 nm 100 nA @ 5 V (max) 80 pF @ 0 VFGA20 1200 - 2600 0.79 mm2 (Ø1 mm) TO-18/PIN 23 ns (23 ns) @ 1 V 2.0 x 10-12 75 µA @ 1 V (max) 200 pF @ 1 VFGA21 800 - 1800 3.14 mm2 (Ø2 mm) TO-5/PIN 66 ns (66 ns) @ 0 V 3.0 x 10-14 @ 2300 nm 200 nA @ 1 V 500 pF @ 0 V a)典型値.RL=5欧姆 b) 详细的引脚配置请参见规格表。 c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t |
| 锗光电二极管－近红外波长 |
| ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有**的有效面积。 请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围 (nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降) 时间aNEP (W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03 800 - 1800 7.1 mm2 (Ø3 mm) TO-5/PIN 500 ns (500 ns) @ 3 V 1.0 x 10-12 @ 1550 nm 4.0 µA @ 1 V 4 nF @ 1 VFDG05 800 - 1800 19.6 mm2 (Ø5 mm) Ceramic Substrate 220 ns @ 3 V 4.0 x 10-12 @ 1550 nm 40 µA @ 3 V 3 nF @ 5 VFDG1010 800 - 1800 100 mm2 (10 mm x 10 mm) Ceramic Substrate 3.5 µs @ 1 V 4.0 x 10-12 @ 1550 nm 50 µA (max.) @ 0.5 V 30 nF @ 0.5 V a) 典型值。 RL=50欧姆 b) 详细引脚图请参看规格表 |
| 双波段探测器 |
| Zoom 双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围 4引脚的TO-5型封装 大有效面积型号 #波长范围 (nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降) 时间aNEP (W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2 400 - 1100 1000 - 1700 Ø2.54 mm Ø1.5 mm TO-5/PIN 4 µs (典型値) (两层) 1.9 x 10-14 2.1 x 10-13 - 450 pF 300 pF a) 典型値 RL =50欧姆 b) 详细引脚图请参看规格表> |
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