无掩模紫外光刻机_报价-先锋科技（香港）股份有限公司

紫外投影光刻通过将特定形状的光斑投射到器件表面涂敷的光刻胶上，光刻胶被辐照区域产生化学变化，在曝光、显影后即可形成微米精度的图样；通过进一步的刻蚀或蒸镀，*终可在样品表面形成所需要的结构。作为材料、器件、微结构与微器件常用的制备技术，紫外投影光刻被广泛用于维纳结构制备、半导体器件电极制备、太赫兹/毫米波器件制备、光学掩模版制备、PCB制造等应用中。

常规紫外投影光刻机需要先制作掩模板，耗材成本高、制备周期长，很难满足材料器件实验室对灵活性和实验进度的要求。近年发展起来的无掩膜光刻技术突破这一技术限制，实现任意形状编程、全自动高精度大尺度拼接的无掩膜光刻，随时将您的设计转化为实际的成品，大幅度减少研制测试周期，强有力的助攻维纳微纳器件制备的“临门一脚”。

TuoTuo科技基于多年微纳结构制备经验，自主研发高均匀度紫外光源，高保真指引光路，高精度、大行程、大承载纳米位移台等核心技术，结合高稳定机械结构、自动化和软件设计，推出全自动高精度无掩模光刻机。

无掩模紫外光刻机特性和使用

l 高分辨率

专有设计的投影光路确保亚微米的刻写精度：

图1 样例电极在5x - 100x显微镜下的图样

l 所见即所得

图2 刻写过程说明

图2为刻写过程的简要说明。样品表面旋涂光刻胶后置入光刻机，需刻写图案以位图方式导入软件。指引光将在样品的试试图像上指示即将刻写的为止，可通过软件将图像平移/缩放/旋转，以调节刻写为止。经过刻写、显影及后处理，即可获得需要的微结构。

图3 套刻功能

在已有结构的样品上增刻新的结构通常称为“套刻”；通过指引光可以方便的指引即将刻写的位置，并可通过软件进行角度、尺寸等调整，调整完成后即可将新结构的套刻至原结构之上。

l 高精度拼接功能

图4 拼接功能；右下图为全幅待刻写图样，左下图为单次曝光区域

单次曝光能够刻写的区域受显微物镜视场限制，高分辨刻写时刻写区域较小。大区域、高分辨刻写时，系统通过样品平移扫描的方式进行拼接刻写。

拼接刻写完全是自动化的，用户只需要导入所需要的图形即可。可使用软件对图形进行缩放、旋转、平移等操作，以实现理想的定位和尺寸。

拼接所采用的高精度平移台保证±100nm的**定位精度，确保亚微米尺度光刻的无缝过渡。**拼接尺寸可达200mm。

无掩模光刻系统的图样可以实时调整，所以拼刻的图形可以是任意形状的而不限于周期图样。

l 高级功能

电动Z轴平移及自动对焦：可方便用户对焦，并实现对表面凹凸、倾斜样品的准确刻写；

环境防护：标配UV防护功能；标配机箱除湿功能，确保长时间自动光刻时样品不受湿度变化影响；

灰度刻写功能：支持对指定区域的曝光量进行设定，实现灰度刻写；

订制手套箱兼容的光刻系统，样品自旋涂-曝光-显影-后处理均在手套箱内完成，适用于对氧气敏感的样品；

图5 已交互客户的手套箱内UV光刻系统示意图

技术支持与试样、试用

力足国内，提供从售前至售后全天候技术支持。欢迎您随时预约参观试用仪器，或联系我司试样

主要技术指标

		手动版	标准板
曝光波长		405nm	385 nm/405nm可选
光源强度		不低于 18 W	不低于 14 W 不低于 18 W
曝光精度	5X 物镜	8微米（确保值）	8微米（确保值）
	20X 物镜	2微米（确保值）	2微米（确保值）
	50X物镜	NA	1微米（确保值） 0.6微米（优值）
单次曝光面积**	5X 物镜	2 mm * 2mm	2 mm * 2mm
	20X 物镜	0.5 mm * 0.5 mm	0.5 mm * 0.5 mm
	50X物镜	NA	0.2 mm * 0.2 mm
灰度曝光		NA	支持
套刻		有	有
套刻对准精度		3 微米	50nm
套刻指引		460nm/520nm/620 nm	460nm/520nm/620 nm
曝光均匀性		画幅内优于85%	画幅内优于85%
支持基片尺寸		5毫米 * 5毫米（小） 20毫米20毫米（**）	5毫米 * 5毫米（小） 150毫米150毫米（**）
拼接台位移精度		NA	50 纳米（直线光栅尺精度）
拼接台行程		手动位移台 12 mm （X-Y-Z)	精密电控位移台 100mm （X-Y)、25mm（Z 轴）
软件		基于LabView的操作软件	基于LabView的全自动软件
设备尺寸		70 厘米 × 70厘米 × 70厘米
设备重量		60 千克	100 千克
设备外壳		UV防护外壳、内部集成除湿设备

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