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产品简介
替代BeO、AlN、钼铜合金、Cu-diamond等陶瓷或复合材料，与光电、射频等器件焊接，大幅降低芯片结温，提升芯片功率密度与稳定性
抛光后表面粗糙度<20nm，与AMB、DPC等工艺兼容
热导率>1200W/mK
尺寸：2英寸
厚度：0.1mm-1mm
表面粗糙度：Ra<20nm
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