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HGL1151系列是集成了通用智能核心技术的半导体晶圆Low-K层开槽设备,全自动一站式加工,晶圆上料→预清洗+保护层涂布→激光开槽→后清洗+干燥→晶圆下料,所有工艺过程一气呵成。产品全系采用高性能激光器及空间光整形系统,标配超高精密气浮式高速加工平台,切割过程实时监控··实时纠偏等功能,确保Low-K晶圆开槽的精度一致性和质量的稳定性。本产品的开槽精度高,槽形优异,尤其对热影响区的控制达到国际**水准。主要技术性能达到国内**,部分技术性能超过国际同类产品,是全面替代进口开槽设备的**选择。
Low-K激光开槽工艺优势
• 非接触加工、无物理应力、无晶圆碎裂风险
• 通过动态激光实时控制,工艺设置简单灵活
①自由改变开槽宽度
②自由设置槽底平滑度
• 运用方便,运用成本低
①一次定位、一次清洗,
②工艺过程清洁
③无环境污染
④基本无耗材,运用成本极低
技术原理
• 运用高性能空间光整形技术按需调制输出激光形态
①切割道两侧以极细的双光束刻画出边界细槽
②以平顶多光束激光在边界槽内侧切割道开槽
• 运用高性能实时动态激光控制技术确保开槽精度
①实时控制激光束对槽壁垂直度的加工精度
②实时控制激光束对槽底平整度的加工精度
• 超快速脉冲激光束对Low-K材料进行精确去除
• 开槽周边热影响区控制在5μm以内
Low-K材料开槽工艺制程
• Low-k(低介电常数)材料是线宽制程低于 65nm 以下的高性能集成电路所必须的绝缘材料
• Low-K 材料机械特性脆弱,易碎
• Low-K 材料与 Si 系材料的附着力低,易剥离易分层
• 带有 Low-K 层的半导体晶圆无法承受传统刀轮切割的机械冲击带有 Low-K 材料的晶圆在切割前,需导入 Low-K 开槽工艺,以避免后续切割制程对 Low-K 材料层造成伤害
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