编号：FTJS106727
篇名：低对称性二维过渡金属硫族化合物的化学气相沉积法制备
作者：陈芸 张辉 罗政 毛卫国 潘俊安 王珊珊
关键词： 二维材料 低对称性 化学气相沉积 相调控 基底工程
机构： 湘潭大学材料科学与工程学院 国防科学技术大学空天科学学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室 长沙理工大学材料科学与工程学院
摘要： 1428/2000 低对称二维材料是一种新型的纳米材料，具有很少的晶格对称操作，纵向上只有原子级厚度。在二维过渡金属二卤化物(TMD)体系中，1T’-MoTe2,1T’-WTe2,1T’-ReS2和1T’-ReSe2是典型的低对称构件。独特的晶格对称性使其具有丰富的各向异性物理和化学性质，在微纳光子学、触觉传感器、各向异性逻辑器件等领域具有特殊的应用前景。低对称二维 TMD 材料的基础研究和应用开发依赖于这类材料的高质量、大尺寸和稳定制备。因此，本文以这四种类型的材料为典型材料，首先根据金属前驱物对它们进行分类，并回顾了近年来低对称二维 TMD 材料的化学气相沉积(CVD)制备方法。根据1T ′-MoTe2在制备过程中易发生相变和1T ′-ReS2、1T ′-ReSe2与底物之间弱相互作用的特点，介绍了1T ′-MoTe2制备过程中的相调控机理以及1T ′-ReS2和1T ′-ReSe2制备过程中的底物工程研究。最后，本文展望了低对称二维 TMD 材料的未来挑战和机遇。
