参考价格
5-10万元型号
G-2900V品牌
金埃谱产地
武汉样本
暂无误差率:
±0.02%分辨率:
0.0001g/cc重现性:
0.01%仪器原理:
静态容量法分散方式:
N测量时间:
5分钟测量范围:
无限看了针状焦负极真密度测定的用户又看了
虚拟号将在 180 秒后失效
使用微信扫码拨号
体积置换法,真密度测定,硬质泡沫开孔率及闭孔率(孔隙率)测定
测量精度:测定精度±0.02%,重复性±0.01%,测试分辨率0.0001g/cc
多站 快速 高效
摘要:硬脂酸镁是制药界广泛应用的药物辅料,因为具有良好的抗粘性、增流性和润滑性在制剂生产中具有十分重要的作用,作为常用的药用辅料润滑剂,比表面积对硬脂酸镁有很大的影响,硬脂酸镁的比表面积越大,其极性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特点,被广泛应用于电子工业、汽车工业、纺织、化工、航空航天等国民经济的各个领域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取决于其微观结构,是扫描电镜重要的应用领
2022-09-27
3月19日-23日,“国仪量子电子顺磁共振用户培训会”在合肥量子科仪谷成功举行。本次培训会旨在为电子顺磁共振技术的交流与学习搭建优质平台,聚焦解决用户在EPR仪器使用过程中遇到的实际问题,全方位提升用
用户成就随着全球人口的增长和经济的发展,大量的能源消耗和碳排放总量的不断增加给环境带来了巨大的压力。到2022年,建筑约占全球能源消耗的34%,占能源相关二氧化碳排放量的37%。窗户被认为是建筑物中最
3月26日-28日全球半导体行业旗舰展览SEMICON China如约而至!国仪量子携聚焦离子束电子束双束显微镜闪亮登场为您带来半导体领域微纳加工的全新方案!上海新国际博览中心N5馆 5421展台国仪
国仪量子电镜在芯片金属栅极刻蚀残留检测的应用报告一、背景介绍 在芯片制造工艺中,金属栅极刻蚀是构建晶体管关键结构的重要环节。精确的刻蚀工艺能够确保金属栅极的尺寸精度和形状完整性,对芯片的性能
国仪量子电镜在芯片后道 Al 互连电迁移空洞检测的应用报告一、背景介绍 随着芯片集成度不断攀升,芯片后道 Al 互连技术成为确保信号传输与芯片功能实现的关键环节。在芯片工作时,Al 互连导线
国仪量子电镜在芯片钝化层开裂失效分析的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域,芯片钝化层扮演着至关重要的角色。它作为芯片的 “防护铠甲”,覆盖在芯片表面,隔绝外界环境中的湿气、杂质以及机械应力等不利