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Bhadra™立式LPCVD BHC200
功能
氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉积
适用于功率半导体/衬底材料
重要参数
**晶圆尺寸:8寸及以下晶圆
**载片量:125片/批
**加热温度:1050℃
成膜种类:根据不同工艺要求工艺源可选配
装卸片方式
立式垂直升降
垂直真空密封系统
先进的压力控制技术
五区高精度温度场控制
先进的颗粒控制技术
先进微环境氧含量控制
稳定的传输控制能力
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售后服务
易用性
性价比
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