GIGAfab M等离子系统

GIGAfab M等离子系统可用于具有更严苛要求和特殊等离子源的应用中，适用于半导体行业等多个领域。基板由手工装载到工艺室，从单个**到 300 mm晶圆（也包含薄膜减薄）到少数几片更小的晶圆。均匀性高达 5% 的平面源用于去除光刻胶（通过 300 mm晶圆测量）。或者，在远程操作中，径向源可用于蚀刻硅并减少薄晶圆或组件上的应力。

等离子系统 GIGAfab M的优势及相关设备：

配备带拉出式工作台的工艺室

晶圆支架安装在内部，可根据应用进行加热或冷却

或者，带有冷却回路和冷却单元的系统，温度范围为 20 °C 至 95 °C（用于蚀刻硅或去除 SU-8）或高达 300 °C 的电加热系统，可选空气冷却配置以实现稳定的工艺范围在 60 °C 和 300 °C 之间

系统控制基于带触摸屏的PC系统，使工艺过程可以在手动和自动多步操作中运行。该标准系统包含一个用于稳定过程压力的控制阀，以及两个带自动流量控制器 (MFC) 的气体管道；另外也可选配额外两个气体管道。