SiC晶体

推荐高纯度碳化硅清洁生产

中国粉体网讯 SiC具有宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点，特别适合于制造高频、大功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件，是半导体材料领域中较有前景的材料之一。碳化硅的物理化学性能SiC晶体材料的发展历史已有[更多]