SiC外延

推荐碳化硅，华为投全了！

中国粉体网讯 4月5日，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利，申请公布号为CN117822097A，申请日期为2022年9月28日。来源：国家知识产权局该专利[更多]