禁带

推荐AlN单晶衬底-2英寸不是终点

中国粉体网讯 氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性，以及高导热、抗辐射等优异性能。是紫外/深紫外LED、紫外L[更多]