衬底

推荐国产碳化硅走出国门

中国粉体网讯 近年来,以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件,受到了广泛的关注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁带宽度,10倍于硅材料的临界击穿电场强度,3倍于硅材料的热导率。因此碳化硅功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合,且有[更多]

资讯 碳化硅衬底外延片功率器件新能源汽车
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