中国粉体网讯 北京大学叶堉研究员课题组提出了一种利用相变和重结晶过程制备晶圆尺寸单晶半导体相碲化钼(MoTe2)薄膜的新方法。该工作以“Seeded 2D epitaxy of large-area single-cryst[更多]
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