镓仁半导体

推荐新突破！4英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功

中国粉体网讯 近日，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室使用铸造法成功制备了高质量4英寸氧化镓单晶，并完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。1英寸[更多]