设备特点

●工件台：圆周旋转或者扫描运动，刻蚀角度可调，刻蚀均匀性高，兼容刻蚀和抛光功能 

●工件台采用水冷，确保晶片低温刻蚀 

●可配置等离子体中和枪，确保晶片表面无电荷积累 

●可配置法拉第测束装置，确保工艺参数的可重复 

●真空系统分子泵/低温泵可选

技术指标

●工件台 

　　　　适用晶片尺寸：4"～8"，兼容不规则方片

　　　　圆周旋转/往复扫描运动

●离子源：考夫曼离子源 

　　　　　离子束能量：0eV～1000eV连续可调 

　　　　　束流 ：**200mA （圆形）或**300mA （条形）

●刻蚀均匀性 ：片内±5%，片间±3%

应用范围

　　用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、NiCr等