设备概述

　　反应离子刻蚀（RIE）是利用射频放电使反应气体电离产生活性离子，利用活性离子与工件表面材料进行化合生成挥发性产物被真空泵抽走，从而实现对工件表面材料的去除，属干法刻蚀设备。广泛应用于半导体器件、电力电子器件、光电子、太阳能电池、微机械等领域。

设备特点

●反应压力恒定、自动控制，工艺重复性好

●工艺气体喷淋耦合，刻蚀均匀性好

●工艺过程自动控制，操作简单、方便

技术指标

●适用晶片尺寸：4"～8"；

●均匀性: ± 5%(片内), ± 3%(批间)

●基片台冷却:水冷

应用范围

　　用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于非金属材料、氧化物薄膜的快速刻蚀，如多晶硅、SiO2、Si3N4等。