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中国粉体网讯 近年来，以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁带宽度，10倍于硅材料的临界击穿电场强度，3倍于硅材料的热导率。因此碳化硅功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合，且有[更多]