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Otsuka膜厚测量仪
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暂无
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日本
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产品简介

在高精度薄膜分析的膜厚测量仪基础上,增加安装了自动角度调节装置实现高速的薄膜测量和高精度的化学常数解析。可拆卸缓速器和旋转分析仪也拓宽了测量的选择范围,提高了测量精度。FE-5OOOS 然和FE-5000有相同的基本功能,但是价格低体积小膜厚测量仪的用途得到扩大。

— 可对应各种选配,膜厚的特制解析

测量项目:

-测量椭圆参数(TANψ,COSΔ)

-光学常数(n:折射率,k:消光系数)分析

-薄膜厚度分析

应用范围:

半导体晶

栅氧化膜,氮化膜

SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN

光学常数(波长色散)

复合半导体

AlxGa(1-x)多层膜、非晶硅

FPD

取向膜

等离子显示器用ITO、MgO等

各种新材料

DLC(类金刚石碳)、超导薄膜、磁头薄膜

光学薄膜

TiO2,SiO2多层膜、防反射膜、反射膜

光刻领域

g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)和KrF(248nm)等波长的n、k评估

原理

包括s波和p波的线性偏振光入射到样品上,对于反射光的椭圆偏振光进行测量。s波和p波的位相和振幅独立变化,可以得出比线性偏振光中两种偏光的变换参数,即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。

测量示例:

1)考虑到表面粗糙度测量膜厚度值[FE-0008]

当样品表面存在粗糙度(Roughness)时,将表面粗糙度和空气(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模拟为“糙层”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介绍了测量表面粗糙度为几nm的SiN(氮化硅)的情况。

测量示例:

1)考虑到表面粗糙度测量膜厚度值[FE-0008]

当样品表面存在粗糙度(Roughness)时,将表面粗糙度和空气(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模拟为“糙层”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介绍了测量表面粗糙度为几nm的SiN(氮化硅)的情况。

2)使用非干涉层模型测量封装的有机EL材料[FE-0011]

有机EL材料易受氧气和水分的影响,并且在正常大气条件下它们可能会发生变质和损坏。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介绍在密封状态下通过玻璃测量膜厚度的情况。玻璃和中间空气层使用非干涉层模型。

产品特点:

-可分析纳米级多层薄膜的厚度

-可在紫外和可见(250至800nm)波长范围内进行椭偏测量

-可通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱

-通过可变反射角测量,可详细分析薄膜

-通过创建光学常数数据库和追加菜单注册功能,增强操作便利性

-通过层膜贴合分析的光学常数测量可控制膜厚度/膜质量

*1可以驱动偏振器,可以分离不感带有效的位相板。*2取决于短轴•角度。*3对应微小点(可选)*4它是使用VLSI标准SiO2膜(100nm)时的值。*5可以在此波长范围内进行选择。*6光源因测量波长而异。*7选择自动平台时的值。

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