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ALD/原子层沉积系统
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原子层沉积技术

原子层沉积系统原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供**的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

原子层沉积系统应用

  • 高介电薄膜

  • 疏水涂层

  • 钝化层

  • 深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜

  • 微流控台阶涂层

  • 用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池

ALD-4000原子层沉积系统特点:

  • 独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统

  • Labview软件,具备四级密码控制的用户授权保护功能

  • 安全互锁设计,强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)

  • 12”的铝质反应腔体,带有加热腔壁和气动升降顶盖

  • *多750ml的加热汽缸,用于前驱体以及反应物,同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀

ALD-4000原子层沉积系统选配项:

  • NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)

  • ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)

  • 臭氧发生器

等等客户定制选项

案例:6”晶圆片上的均匀性数据

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