北京天科合达半导体股份有限公司
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产品详情
8英寸导电型衬底
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参考报价:
面议
品牌:
天科合达
关注度:
7
样本:
暂无
型号:
8英寸导电型衬底
产地:
北京
信息完整度:
典型用户:
暂无
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高级会员 第 1
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产品概述

导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料,经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节,可制成碳化硅基功率器件,是第三代半导体产业发展的重要基础材料。

8英寸导电型衬底是下一代行业主流尺寸产品。8英寸产品质量与6英寸相当,未来公司将根据客户实际需求,同步扩大8英寸衬底生产规模,并有效降低生产成本,推动8英寸衬底不断向前发展。

下游产品与应用

碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节,制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件,适用于高温、高压、大电流等工作环境,广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。

直径199.5 mm -200.0 mm
晶型4H
厚度500 μm±25 μm
晶片方向向<11-20>偏转4.0°±0.5°
微管密度≤ 0.2 cm-2
电阻率0.015-0.025 Ω.cm
Notch晶向{10-10} ±5.0°
边缘去除3 mm
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度≤5 μm/≤10 μm/±35 μm/70 μm
表面粗糙度抛光 Ra ≤ 1 nm 
CMP Ra ≤ 0.2 nm
边缘裂纹(强光灯观测)——
六方空洞(强光灯观测)累计面积 ≤ 0.05%
多型(强光灯观测)——
目测包裹物(日光灯观测)累计面积≤ 0.05%
硅面划痕(强光灯观测)——
崩边(强光灯观测)不允许宽度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm
穿透螺位错(TSD)≤ 300 cm-2
硅面污染物(强光灯观测)——
包装多片卡塞/单片盒包装


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