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名 称:北京天科合达半导体股份有限公司认 证:工商信息已核实
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产品分类
产品简介
产品规格书
车规级(Z级)
研发型(D级)
直径 | 149.5 mm-150.0 mm | |
晶型 | 4H | |
厚度 | 350 μm±15 μm | |
晶片方向 | 偏转角度:向<11-20>偏转4.0±0.5° | |
微管密度 | ≤0.2 cm-2 | |
电阻率 | 0.015-0.024 Ω·cm | |
主定位边方向 | {10-10} ±5.0° | |
主定位边长度 | 47.5 mm±2.0 mm | |
边缘去除 | 3 mm | |
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤2.5 μm/≤6 μm/≤25 μm/≤35 μm | |
表面粗糙度 | 抛光 Ra≤ 1 nm | |
CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
边缘裂纹(强光灯观测) | —— | |
六方空洞(强光灯观测) | 累积面积 ≤ 0.05% | |
多型(强光灯观测) | —— | |
目测包裹物(日光灯观测) | 累积面积 ≤ 0.05% | |
硅面划痕(强光灯观测) | —— | |
崩边(强光灯观测) | 不允许宽度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm | |
穿透螺位错 | ≤ 500 cm-2 | |
硅面污染物(强光灯观测) | —— | |
包装 | 多片卡塞 / 单片盒包装 |
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