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双腔型超高真空蒸镀系统
技术参数：
1高真空腔体：2个高真空腔体包括负荷锁及Evaporation,极限真空极限压力<2e-8 Torr
2排气速率：ATM到3E-7 Torr<20分钟(装载锁)
3基板加热：RT-600ºC
4离子束清洗：考夫曼离子源,离子能量100-600 eV， 100-1200eV; 离子束电流：:20-200mA,或100基板刻蚀
均一性<3%
5高压电源：6-10千瓦电源，1-6源口袋
6成膜均匀性：<3%（6inch Wafer）
厦门韫茂科技有限公司凭借在先进材料设备业务方面多年的经验，韫茂为新型芯片，半导体和锂电池领域的新材料开发和生产，提供最先进的纳米工艺设备和服务解决方案。根据您的特殊需求，我们为您定制打造创新纳米加工平台，保证高品质的设计，多功能，易于使用的界面，严格的安全控制，以及快速的交付和服务。
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