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高真空磁控溅射系统
技术参数：
1高真空腔体：2个腔体,包括负荷锁及Sputtering,极限真空，极限压力<5e-9 Torr
2排气速率：从ATM到1E-7 Torr<20分钟(负载锁)
3样品台：**4寸Wafer，可加热RT-300ºC
厦门韫茂科技有限公司凭借在先进材料设备业务方面多年的经验，韫茂为新型芯片，半导体和锂电池领域的新材料开发和生产，提供最先进的纳米工艺设备和服务解决方案。根据您的特殊需求，我们为您定制打造创新纳米加工平台，保证高品质的设计，多功能，易于使用的界面，严格的安全控制，以及快速的交付和服务。
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