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快速热化学气相沉积系统(RTCVD)
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快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)

生产商:韩国Ecopia

RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。

性能和特点:

- 温度范围:室温 ~ 1500°C;

- 升温速度:200°C/s;

- 气体混合能力(带有质量流量计);

- 真空度:~10-6Torr;

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