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SVT公司的气体入射源是为气体源分子束外延（GSMBE）设计的。
SVTA-APH3-GCS入射源用于裂解砷化氢和磷化氢以进行高质量的III-V材料生长。
源采用单灯丝加热，双气体管炉提高气体裂解的效率。
它还采用一系列光阑板(aperture plates)满足客户对裂解性能的要求。
热裂解区由高纯PBN材料和钽材料制作的。其在**温度下也可提供超高纯环境。
完整的气体入射源系统还包括具有较大压力的气体传输系统。
为提高束流分布均一性，可定制源长度。
典型应用
用于III-V材料系统
具有很高的气体裂解能力
先进的气体操作系统
温度150 oC-1，300 oC
MFC/自动束流控制
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