近年来， 有机半导体材料与器件领域的研究和开发取得了日新月异的进展，其中有机电致发光二极管、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池、有机存储器、有机传感器、有机激光器等相关有机半导体材料与器件的研究取得了大量的研究成果。随着有机半导体材料与器件研究和开发的深入， 研究人员越发清楚地认识到， 有机半导体中载流子的传输能力是影响有机半导体器件性能的一个至关重要的因素。衡量有机半导体材料载流子传输能力的主要参数是载流子迁移率u， 它直接反映了载流子在电场作用下的运动能力， 因此载流子迁移率的测量是有机半导体材料与器件研究中的重要内容。

我公司推出有机太阳能电池OPV、钙钛矿太阳能电池、OLED器件和其他有机半导体器件瞬态光电流/光电压测量系统及载流子迁移率测量系统，为广大科研工作者和研发机构提供了有力的测试工具。

主要应用：

*无机半导体材料，有机半导体材料OLED等；

*有机太阳能电池OPV；

*钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell；

*无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）；

*染料敏化太阳能电池DSSC；

主要测量功能：

* **功率点MMP，FF，Voc，Isc，迁移率，理想因子（IV and IVL测试）

* 电子与空穴迁移率，载流子俘获动力学过程（TPC瞬态光电流法）

* 电子与空穴的复合，载流子俘获动力学过程（TPV瞬态光电压/瞬态开路电压法）

* 俘获动力学过程（双脉冲瞬态光电流）

* 载流子迁移率（DIT暗注入瞬态法）

* 串联电阻，几何电容，RC时间（VP 电压脉冲法）

* 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（Dark-CELIV 暗态线性增加载流子瞬态法）

* 载流子迁移率，载流子密度（Photo-CELIV 光照线性增加载流子瞬态法）

* 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（Dalytime-CELIV 时间延迟线性增加载流子瞬态法）

* 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法）

* 几何电容，电容率（MIS 线性增加载流子瞬态法）

* 载流子迁移率，陷阱强弱度，等效电路（IS 阻抗谱测试）

* 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（C-V 电容VS频率）

* 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（C-V 电容VS电压）

* 发射开关电压（电流电压照度特性）

* 发光寿命，载流子迁移率（TEL 瞬态电致发光法）

测量技术：

1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；

*对于太阳能电池可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等；

2）瞬态光电流响应法（Transient Photocurrent ）：研究器件内电荷载流子俘获动态过程和载流子迁移率等；

3）瞬态光电压（Transient Photovoltage）：研究器件内部电荷载流子俘获动态过程和复合过程；

4)双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程；

5)暗注入瞬态法（Dark Injection）：电荷载流子迁移率分析；

6)电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析；

7)暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量；

8)光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility ，以及载流子浓度分析等；

9)时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等；

10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析；

11）MIS-CELIV：几何电容和相对介电常数分析；

12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：量测器件内电荷载流子迁移率和载流子俘获动态过程等；

13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量；

14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量；