欧洲高性能霍尔效应测量系统，广泛应用于半导体材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可对多种重要物理参量如：电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、磁电阻和V-I曲线等测量和分析；

可测试材料: 半导体材料：包括 SiGe， SiC， InAs， InGaAs， InP， AlGaAs， and HgCdTe，砖石铁，氧体材料;

低阻材料：包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料

高阻材料：包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器

技术参数：

电流源:

测量范围: 1nA - 10 mA

输出电压: +/- 10V (+/-20V)

输出电阻: typical 10¹³ Ohms

电流分辨率: 25 pA

电压测量：

测量范围: 10 mV - 10V（自动量程选择）

分辨率 : <500nV

输入电阻: > 10¹³ Ohms

磁场范围：0.45T~2T（牛津磁体）；

电阻测量范围: 1x10^-3 Ohm - 1x10⁹ Ohm

电阻率测量范围: 1 x10^-5 Ohm*cm - 1x10⁷ Ohm*cm

载流子浓度范围: 10⁷ cm^-3 - 10²¹ cm^-3

主要特点：

电阻率Rho测量；

霍尔系数R_H测量；

V-I曲线测量；

V_H电压测量；

载流子浓度测量；

载流子迁移率测量；

载流子形式测量（n or p）;

磁电阻等；

独有的非线性电压补偿功能；

磁场大小可调；

自动磁场校准；

低温选件：77K；

Van der Pauw和桥式barshape测量；