美国k-Space公司kSA400 RHEED图像分析系统（kSA 400 Analytical RHEED System），适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD，溅射系统Sputtering，分子束外延MBE， 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合优质的硬件和功能强大的软件为客户提供广泛的RHEED分析信息。

全球超过500个用户，国内如南京大学、中科院半导体所、电子部11所、中国科技大学、复旦大学、上海技术物理研究所等；

技术参数：

CCD系统：高速、高分辨和高灵敏度

光学系统：RHEED定量分析及成像分析

标准接口法兰

主要特点：

-图像分析：单一图像分析（静态分析）模式，用户选择多图像模式，聚焦模式（实时剖面、表面区域形貌、表面等高分析），扫描模式，录像模式，交互图像叠加模式，2D和3D图像分析；

-多个衍射特性实时显示分析，在薄膜生长、退火等过程中；

-实时薄膜生长速率监控、晶格间距和表面均匀性分析

-原位表面诊断分析

-功能强大的软件分析功能

-RHEED振荡追踪检测

-包含锁相外延生长（PLE）、低能电子衍射（LEED）、俄歇电子能谱/光电子能谱（Auger/XPS）等可选功能；