仪器简介：

桌面型原子层沉积系统由哈佛大学纳米科学中心薄膜沉积工艺研究**科学家Dr. Philippe de Rouffignac设计，基于多年纳米薄膜制备的丰富经验以及对科研工作者切实研究需要的了解，推出了此桌面型、高性能的原子层沉积系统。首台设备自2015年在CNS安装以来，到目前为止已有超过1500人次使用，人性化的设计、便捷的操作和优质的成膜工艺，赢得了众多科研工作者的赞誉。

原子层沉积技术可沉积材料：

氧化物: Al2O3， ZrO2， HfO2， Ta2O5， SnO2， RuO2， ZnO， SrTiO3等

氮化物: TiN， NbN， TaN， Ta3N5， MoN， WN， TiSiN， SiN等

单一物质: Si， Ge， Cu， Mo， W， Ta， Ru等

半导体材料: GaAs， Si， InAs， InP， GaP， InGaP等

原子层沉积系统可以广泛应用于:

半导体领域：晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。

纳米技术领域：中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。

技术参数：

1. 腔室专为R&D设计和优化，样品尺寸达直径4’’，支持扩展6‘’；

2. 反应腔温度可控范围：RT-350℃；

3. 前驱体源温度可控范围：RT-150℃；

4. 腔室处理压力可控范围：0.1-1.5 torr；

5. 源扩展多达5个；

6. 快速循环处理功能；

7. 气路**化设计、腔体小型化设计；

8. 一分钟多达6-10；

9. 成熟的薄膜Recipes内置程序；

10. 触屏PLC控制；

11. 可配套手套箱使用；

12. 可配备臭氧发生器；

具体规格，欢迎与我公司联系。