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工艺过程低应力
低耗材成本COC和运营成本COO
低排放可保护环境
整合了无应力抛光、化学机械研磨、湿法刻蚀、干法刻蚀工艺
电抛光液和湿法刻蚀液可实时循环使用
减少化学和耗材使用量
设备尺寸（mm）：4100(长)*2600(宽)*2650(高)
| 序号 | 应用 | 描述 | 使用化学 |
| 1 | 双大马士革工艺超低K铜互连 | CMP+SFP+Clean+TFE | Slurry,Electrolyte,DHF,Xef2 |
| 2 | 双大马士革工艺5nm及以下钌阻挡层互连结构 | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Slurry,Electrolyte,Etchant |
| 3 | 晶圆级封装 （3D硅通孔，2.5D转接板，再布线，扇出） | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Electrolyte,Slurry,Etchant |
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