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Hall8800霍尔效应测试仪器常温&液氮温度测试系统
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台湾
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产品简介
1应用范围:研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数
2:
2-1 Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm

**样品尺寸:15mm x15mm (可定制)

2-2 Measurement Temperature: 300K (room temperature), optional 77K.

测试温度: 室温、可选配液氮低温77K

2-3 Measurement Material: Semiconductors material such as

Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)

测试材质:半导体类材质、如:

Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)

2-4 Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value

磁场强度: 0.68 Tesla ±1%

2-5 Magbnet Stability: ±2% over 1 years

稳定性: ±2% (一年后)

2-6 Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center

均匀度:± 1%(20mm直径圆范围内)

2-7 Pole Gap: 20 mm

磁极间隙:20毫米

2-8 Input voltage range: 1μV to 300V

输入电压范围:1μV ~300V

2-9 Hall voltage range: 10uV to 2000mV

霍尔电压范围: 10uV to 2000mV

2-10 Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107

电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107

2-11 Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

2-12 Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021

载流子浓度(1/cm3): 107 ~ 1021

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