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主要特点：
设备特点：
1、槽式浸泡与单片旋转喷淋方式相结合，提高产能
2、高压或二流体喷淋可彻底除去光刻胶
3、基片干进湿传干出
4、去胶液回收、循环过滤再使用，降低用户成本
5、贵重金属回收
主要参数:
| 主要参数 | 片盒数量 | 2CS&2LP |
配置 | 1Soak+1Stripper+1cleaning | |
wafer 类型 | 圆片，方片 | |
| wafer 尺寸（mm） | 50-300 | |
| 产能（WPH） | 40 | |
| 化学药液 | NMP、DMSO | |
| 衬底材料 | Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4 | |
| 适用工艺 | Lift-off、stripper | |
| 干燥模式 | Spin Dry+N2 Dry |
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