·

温度参数：

· 温度范围：1.85K-400K

· VSM高温炉可扩展高温至1000K

· He³制冷机可扩展低温至0.5K

· 稀释制冷机可扩展低温至50mK

· 降温时间：从300K降至1.9K并稳定<40min

· 温度稳定性：±0.1% for T<20K（典型值）

±0.02% for T>20K（典型值)

· 控温模式：连续低温控制和温度扫描模式

PPMS DynaCool温度扫描曲线，300K降至1.9K少于40分钟

磁场参数：

9T磁体

磁场范围：±90000 Oe

达到满场时间：<8min

扫场速率：0.1——200 Oe/S

初次启动时间：~16小时

14T磁体

磁场范围：±140000 Oe

达到满场时间：<40min

扫场速率：0.2——120 Oe/S（低场时更快）

初次启动时间：~40小时

功能选件——磁学测量

振动样品磁强计选件（VSM）

采用长程电磁力驱动马达，比传统VSM马达噪音更低。

采用超导磁体，磁场均匀度比传统电磁铁更好。

采用新型控温技术，比传统VSM控温更好。

高温炉组件可将VSM的高温扩展至1000K

VSM测量参数：

灵敏度: < 10^-6 emu/tesla

噪音基: 6 x 10^-7 emu rms

精确度: < 5 x 10^-6 emu/tesla

振动频率: 40 Hz

振动幅值: 0.5 to 10 mm

**可测磁矩: ~ 40 emu

**可测量磁矩: ~ 75 emu

探测线圈内径: 6.3 mm I.D. 12 mm I.D.（可选）

长程电磁驱动高精度马达

新型交流磁学性质测量选件ACMS II

可同时测AC和DC的磁学性质，而且测交流磁化率精度很高，可与SQUID媲美。

交流磁化率

灵敏度: 1 x 10^-8 emu

交流场: 0.005 Oe – 15 Oe (peak)

频率: 10 Hz – 10 KHz

特有的校准线圈组逐点测量并消除了背景相漂移

直流磁化强度

灵敏度: 5 x 10^-6 emu

交流磁化率线圈原理图

光诱导磁测量选件（VSM FOSH）

该组件为研究光激发情况下物质磁性变化的**选择。可选波长连续可调的光源。

单色光源 (MLS)

波长范围: 360 nm to 845 nm

光源: 氙灯 – 150 W

光纤：325 - 900 nm (D320-UV)

375-2250 nm (D320-IR)

样品尺寸: 1.6 mm (max)

灵敏度: < 1 x 10-4 emu

可控电子快门

光磁样品杆

扭矩磁强计选件（Torque Magnetometer）

磁各向异性的高精度测量**组件。

扭矩背景噪音： 1×10^-9 Nm

磁矩灵敏度： 1×10^-7 emu @ 9T 1×10^-8 emu @ 14T

扭矩测量范围： ±10^-5 Nm

芯片尺寸： 6×6×1 mm³

安装样品区域： 2×2 mm²

**样品尺寸： 1.5×1.5×0.5 mm³

**样品质量： 10 mg

角速度（度/秒）： 0.05 - 10（标准型） 0.0045 - 1（高精度 型）

角度步长： 0.05°（标准型）0.0045°（高精度型）

磁扭矩高精度芯片

磁各向异性测量所用旋转样品杆

功能选件——电学测量

直流电输运选件（ DC Resistivity ）

电流范围： 5nA - 5mA

**电压： 95mV

电压灵敏度： 20nV （典型值）

电阻测量范围： 4μΩ - 4MΩ

测量精度： 0.01% （典型值）

高级电输运测量选件（ETO）

噪声基：1 nV/rtHz

电压输出范围：± 4.5 V (一倍增益时)

电流范围：10nA-100mA 持续操作

频率范围：直流或交流（0.1Hz-200Hz）

电阻测量精度：0.1% (R < 200 kΩ)

0.2% (R > 200 kΩ)

相对灵敏度：± 10 nΩ RMS (典型值)

电阻测量范围：四线法10^-8Ω-10⁶Ω

二线法10⁶Ω-10¹⁰Ω

电测量用样品托

范德堡法测电阻 channel1四点法测电阻

channel2霍尔测量

功能选件——热学测量

比热测量选件（Heat Capacity）

l 高精度、高自动化程度的设计

l 便捷的样品安装装置

l 具有自动驰豫的精密量热学技术

l 具有完备的数据收集电子设备和数据分析软件

l 采用出色的双 ι (two tau model™ )模型拟合技术

l 对于每一个测量点系统自动计算和记录德拜温度

测量温度范围：1.9K - 400K（从2K开始出点）

配合He3 制冷机可达<0.4 K

配合稀释制冷机可达50 mK

可测比热范围：1μJ/K – 100mJ/K

样品尺寸： 1mg - 500mg（典型值20mg）

测量灵敏度： 10nJ/K @2K

测量精度： <5% @2K - 300K（典型值<2%）

比热专用样品托

不同磁场下比热随温度的变化曲线

热输运测量选件（TTO）

· 独特的设计使得PPMS配合该选件， 能够进行以下参数的测量:

AC 电阻率

热导; 热导率

塞贝克系数

热电品质因数

· 利用专用的样品托进行样品安装和固定， 不需要特殊的样品杆

· 四端头引线法将接线头的热阻和电阻效应降到*低

· 在温度不断变化的情况下进行连续测量，能够得到高密度的数据

· 特有的系统自适应测量方案非常适合研究陌生材料

· 软件可以精确的动态建立热流量模型，补偿各种 可能的系统误差

· 全自动的测量过程，操作简单

热传导测量精度

± 5 %或± 2 μW/K， T < 15 K

± 5 %或± 20 μW/K， 15 K < T < 200 K

± 5 %或± 0.5 mW/K，200 K < T < 300 K

± 5 %或± 1 mW/K， T > 300 K

Seebeck 系数

测量精度：± 5 %或± 0.5μV/K 或± 2 μV

测量范围：1 μV/K - 1 V/K

热输运测量样品示意图

热输运腔外检测装置

电阻率测量

**电流200mA

品质因子测量

测量精度：±15%（取决于S）

测量速度（典型值）

±0.5 K/min，T>20 K；±0.2 K/min，T<20 K