芬兰PICOSUN标准型原子层沉积机R-200

技术参数

。衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片

。156 mm x 156 mm太阳能硅片

。3D 复杂表面衬底

。粉末与颗粒

。多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品

。工艺温度 ：50 - 500 °C ， 可选更高温度

。基片传送选件 ：气动升降（手动装载） ，预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ）

。前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 ，4根独立源管线，*多加载6个前驱体源

。重量 ：350 kg

。尺寸： (W x H x D) 取决于选件

-*小146 cm x 146 cm x 84 cm

-**189 cm x 206 cm x 111 cm

。选件 ：PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2 发生器，尾气处理器，定制设 计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）

。验收标准 ：标准设备验收标准为 Al2O3工艺

PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现**的均匀性，包括**挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。

我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度*小的薄膜层。 在*基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。