美国 Nano-master ALD/PEALD原子层沉积机NLD-4000

NLD-4000是一款独立式计算机控制的ALD系统，全自动工艺控制并包含完整的安全连锁功能，能够沉积半导体应用中的氧化物和氮化物（比如AlN， GaN， TaN， TiN， Al2O3， ZrO2， LaO2， HfO2），支持太阳能和MEMS等众多领域的应用。

系统包含一个13”的铝质反应腔体，具有加热腔壁和气动升降顶盖，可一键式实现顶盖的开启/闭合，便于放取片。随系统配套手套箱，可以支持*多七路加热或冷却的50cc容器用于前驱体或者反应物，并集成了快速脉冲传输阀用于气体脉冲输出。没有反应掉的前驱体将被加热过滤器所捕捉，该过滤器安装在腔体排风口。

工艺程序、温度设定值、气体流量、抽真空卸真空工序，以及传输管路的吹扫均通过LabView软件全自动控制。

选配项包含自动上下片（系统占地面积不变）、远程平面ICP等离子源用于等离子增强ALD（平面ICP的构造确保小的反应腔体容积，这实现更快的循环时间），以及涡轮分子泵用于更低的极限真空。

特点:

**低于1?的均匀度

** 优化的13”阳极氧化铝腔体

** 小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高产能

** **可支持8”的基片

** 400°C基片加热器

** 随系统配套前驱体手套箱

** 做多支持七路50cc前驱体容器

** 300L/Sec抽速的磁悬浮分子泵组

** 极限真空可达5x10-7Torr

** 快速脉冲气体传输阀

** 大面积过滤器用于捕捉未反应的前驱体

** 高深宽比结构的涂覆

** 全自动计算机控制，菜单驱动

** LabVIEW友好用户界面

** EMO和安全互锁

** 占地面积仅24”x44”带封闭面板的柜体对超净间很理想

选配:

** 下游式平面ICP远程等离子源用于PE-ALD工艺

** RF离子源用于无需要求超高密度的PE-ALD工艺

** 自动上下片

** 增加额外的前驱体

应用:

** 高K介质

** 疏水性涂覆

** 钝化层

** 高深宽比扩散阻挡层的铜连接

** 微流控应用的保形性涂覆

** 燃料电池中诸如催化层的单金属涂覆