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低温强磁场原子力/磁力/扫描霍尔显微镜
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低温强磁场原子力/磁力/扫描霍尔显微镜

- attoAFM/attoMFM/attoSHPM系统

纳米尺度下的磁学图像对于研究磁性材料和超导样品是非常重要的,利用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系统,科学家可以在无以伦比的空间分辨率(20nm)和磁场敏感性下分析样品磁性,工作温度从极低温、强磁场到室温。

attoAFM/attoMFM/attoSHPM采用模块化的设计。利用标配的控制器和样品扫描台,用户仅需要更换扫描头和对应的光学部件即可实现不同功能之间的切换。


低温强磁场磁力显微镜 - attoMFM I系统

attoMFM I采用紧凑设计,其主要用于低温和极低温环境中。在扫描时,探针是固定的,而进行样品扫描。样品与探针之间的磁力梯度由光纤干涉的模式,通过测量共振频率或相位变化而确定。

在实验过程中,样品和探针保持一定的距离,典型值为10-100nm。工作在共振频率模式时,PLL用于激发微悬臂,进行闭环扫描,实现极高的空间分辨率(10.7nm,如下图)。


attoMFM I特点与技术优势

+ 工作模式:MFM、接触式/半接触式/非接触模式AFM、导电AFM、EFM

+ 可升级到SHPM、共聚焦显微镜、SNOM和STM

+ 5X5X5mm粗定位范围,4K

+ 30umX30um扫描范围,4K

+ MFM极高空间分辨率:好于11nm

+ 变温范围:mK - 373K

+ 兼容强磁场:可达15Tesla

+ 兼容1"和2"孔径的磁体与恒温器,如Quantum Design-PPMS系统

+ 极其紧凑和可靠MFM扫描头设计

+ 闭环式扫描模式

+ 外置CCD,用于检测低温环境中样品的位置

+ 用于超导体的vortex分布与定扎测量

+ 磁性颗粒的局域场测量

+ 磁化率和磁滞回线测量

+ 超导、磁畴、材料科学研究

attoMFM I技术参数

+ 样品定位范围:5 X 5 X 5mm,4K

+ 样品位移步长:0.05 -3um @ 300K, 10 -500nm @ 4K

+ 扫描范围:40X40 um @300K;30X30 um @4K

+ 磁场强度: 0 -15Tesla (取决于磁体)

+ 变温范围:mK - 300K (取决于恒温器)

+ 工作真空环境:1X10-6mbar - 1bar(He交换气氛)

+ MFM侧向分辨率:好于20nm

+ RMS z-noise水平(4K):0.05nm

+ z bit分辨率(全范围内):7.6pm

+ z bit分辨率(扫描范围内):0.12pm


低温强磁场扫描霍尔显微镜- attoSHPM系统

attoSHPM采用紧凑设计,其主要用于低温和极低温环境中。其探针是采用MBE生长的GaAs/AlGaAs霍尔传感器。局域测量通过霍尔探针在样品表面进行扫描而实现,将测得的霍尔电压进行转换,即可计算出局域磁场强度。

attoSHPM特点与技术优势

+ 可升级到MFM、接触式/半接触式/非接触模式AFM、导电AFM、EFM、共聚焦显微镜、SNOM和STM

+ 5X5X5mm粗定位范围,4K

+ 30umX30um扫描范围,4K

+ 变温范围:mK - 373K

+ 兼容强磁场:可达15Tesla

+ 兼容1"和2"孔径的磁体与恒温器,如Quantum Design-PPMS系统

+ 极其紧凑和可靠SHPM扫描头设计

+ 定量和非破坏性磁性测量,mK温度

+ 闭环式扫描模式

+ 用于超导体的vortex分布与定扎测量

+ 磁性颗粒的局域场测量

+ 磁化率和磁滞回线测量

+ 超导、磁畴、材料科学研究

attoSHPM技术参数

+ 利用STM原理/音叉模式探测样品与探针之间的距离

+ 样品定位范围:5 X 5 X 5mm,4K

+ 样品位移步长:0.05 -3um @ 300K, 10 -500nm @ 4K

+ 扫描范围:40X40 um @300K;30X30 um @4K

+ 磁场强度: 0 -15Tesla (取决于磁体)

+ 变温范围:mK - 300K (取决于恒温器)

+ 工作真空环境:1X10-6mbar - 1bar(He交换气氛)

+ SHPM探针:MBE生长的GaAs/AlGaAs异质结

+ 分辨率:250nm超高分辨

+ z bit分辨率,300K :0.065nm,4.3um扫描范围

+ 侧向(xy)bit分辨率,4K:0.18nm,12um扫描范围

+ z bit分辨率,4K:0.030nm,2um扫描范围


应用案例:

PPMS-MFM vortex测量

高分辨磁畴测量

315mK下vortex测量

300mK下SHPM测量

AFM在脉冲管制冷机中使用

300mK-9T下AFM/STM测量

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